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8月5日
三星 zHBM：把内存竖到加速器上，下一场竞争不再只是堆得更高
三星电子在 2026 年 8 月 4 日举行的 FMS 2026 上提出 zHBM：把 DRAM 以三维方式垂直布置在 AI 加速器周围，以更短的数据路径突破传统 HBM 的带宽、密度和散热上限。三星给出的概念目标是，性能约为 HBM5 的 8 倍、密度超过 10 倍、能效提高 3 倍、热阻降低逾 50%，并把 2029 年前后列为目标窗口；这些数字仍属于路线图与研究阶段指标，不能等同于样片验证，更不是量产规格。